SSTA06T116 دیتاشیت

SSTA06T116

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SSTA06T116
حجم فایل 44.771 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SSTA06T116-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon SSTA06T116
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه